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发明名称
薄膜电晶体阵列面板及其制造之方法
摘要
本发明提供一种TFT阵列面板及其制造方法,该TFT阵列面板具有数个信号线,该等信号线包括一含Al金属之下层及一钼合金(Mo合金)之上层,该钼合金包括钼(Mo)与铌(Nb)、钒(V)及钛(Ti)中至少之一。因此,避免了于蚀刻制程中可能发生之底切、悬垂及缺口,并提供具有具有低电阻率及良好接触特性之信号线的TFT阵列面板。
申请公布号
TW200614514
申请公布日期
2006.05.01
申请号
TW094123767
申请日期
2005.07.13
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
赵范锡;裴良浩;李制勋;郑敞午
分类号
H01L29/786
主分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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