发明名称 薄膜电晶体阵列面板及其制造之方法
摘要 本发明提供一种TFT阵列面板及其制造方法,该TFT阵列面板具有数个信号线,该等信号线包括一含Al金属之下层及一钼合金(Mo合金)之上层,该钼合金包括钼(Mo)与铌(Nb)、钒(V)及钛(Ti)中至少之一。因此,避免了于蚀刻制程中可能发生之底切、悬垂及缺口,并提供具有具有低电阻率及良好接触特性之信号线的TFT阵列面板。
申请公布号 TW200614514 申请公布日期 2006.05.01
申请号 TW094123767 申请日期 2005.07.13
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 赵范锡;裴良浩;李制勋;郑敞午
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国