| 发明名称 | 铝或铝合金导电材料层的机械化学抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在微电子半导体工业中使用的铝或铝合金导电材料层的机械化学抛光方法,其中使用一种磨料组合物研磨所述铝或铝合金层,该磨料组合物包括相互之间不以硅烷键连接的分立的胶体二氧化硅粒子的碱性水悬浮体、氢氧化四烷基铵和氧化剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1264636A | 申请公布日期 | 2000.08.30 |
| 申请号 | CN00102240.7 | 申请日期 | 2000.02.18 |
| 申请人 | 科莱恩(法国)公司 | 发明人 | E·杰克奎恩特;P·莱托尼奥;M·里瓦尔 |
| 分类号 | B24B37/00;H01L21/304;C09G1/02;C09K3/14 | 主分类号 | B24B37/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 段承恩 |
| 主权项 | 1.在微电子半导体工业中使用的铝或铝合金导电材料层的机械化学抛光方法，其特征在于使用一种磨料组合物抛光所述铝或铝合金层，其中该磨料组合物包含相互之间不以硅氧烷键连接的分立的胶体二氧化硅粒子的碱性水悬浮体、一种氢氧化四烷基铵和一种氧化剂。 | ||
| 地址 | 法国普多 | ||