| 发明名称 | 阳极化设备,阳极化系统,及基体处理设备和方法 | ||
| 摘要 | 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方，并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130)，以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。 | ||
| 申请公布号 | CN1194384C | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN00104669.1 | 申请日期 | 2000.03.24 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 松村聪;山方宪二 |
| 分类号 | H01L21/20;C30B25/02 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种阳极化硅基体的阳极化设备，其特征在于包括：用于水平夹持所述硅基体的夹持部分；布置在所述硅基体上方，面对该硅基体的负电极；布置在所述硅基体下方的正电极；以及用于用电解液充填所述硅基体和所述负电极之间空间的阳极化罐，其中所述负电极具有防止气体停留在所述负电极下方的排气孔。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||