| 发明名称 |
Gate-Struktur für einen Transistor und Verfahren zu deren Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10220189(B4) |
申请公布日期 |
2009.04.23 |
| 申请号 |
DE20021020189 |
申请日期 |
2002.05.06 |
| 申请人 |
QIMONDA AG |
发明人 |
GRAF, WERNER;BEWERSDORFF-SARLETTE, ULRIKE |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/28;H01L29/49;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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