发明名称 |
半导体晶片表面的清洗方法 |
摘要 |
一种半导体晶片表面的清洗方法,通过位于半导体晶片表面上方的喷头将清洗液喷洒到该半导体晶片表面,对所述半导体晶片表面进行清洗,在喷洒清洗液时,所述喷头的喷嘴在半导体晶片表面上方做往复运动,且所述喷嘴在往复运动中经过半导体晶片表面中心上方。本发明能够将所述半导体晶片表面的残留物或污染物去除的较为干净。 |
申请公布号 |
CN101459047A |
申请公布日期 |
2009.06.17 |
申请号 |
CN200710094568.4 |
申请日期 |
2007.12.13 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
高昀成;刘轩 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;B08B3/00(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李 丽 |
主权项 |
1、一种半导体晶片表面的清洗方法,通过位于半导体晶片表面上方的喷头将清洗液喷洒到该半导体晶片表面,对所述半导体晶片表面进行清洗,其特征在于:在喷洒清洗液时,所述喷头的喷嘴在半导体晶片表面上方做往复运动,且所述喷嘴在往复运动中经过半导体晶片表面中心上方。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |