| 发明名称 |
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING A PLURALITY OF ONE TRANSISTOR TYPE MEMORY CELLS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0287056(A3) |
申请公布日期 |
1989.06.14 |
| 申请号 |
EP19880105871 |
申请日期 |
1988.04.13 |
| 申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
OKUYAMA, YASUSHI C/O NEC CORPORATION |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/94;(IPC1-7):H01L27/10 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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