| 发明名称 |
Semiconductor device with compensation implantation and method of manufacture |
| 摘要 |
Bei einem Halbleiterbauelement, insbesondere einem EEPROM, wird ein Lawinendurchbruch vom Buried Channel (19) zum Substrat (11) durch ein spezielles laterales Dotierprofil im Buried Channel vermieden, bei dem der Randbereich (19') des Buried Channel eine höhere effektive Dotierung aufweist als ein unter dem Tunnelfenster (18) liegender Bereich. Das laterale Dotierprofil wird durch eine Kompensationsimplantation mit Dotieratomen des zum Buried Channel entgegengesetzten Leitungstypes hergestellt. <IMAGE>
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| 申请公布号 |
EP0810673(A1) |
申请公布日期 |
1997.12.03 |
| 申请号 |
EP19970107463 |
申请日期 |
1997.05.06 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
KAKOSCHKE, RONALD, DR.RER.NAT.;SEDLAK, HOLGER, DIPL.-INF. |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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