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发明名称 Floating gate memory with substrate band-to-band tunneling induced hot electron injection
摘要
申请公布号 EP0948058(B1) 申请公布日期 2005.06.22
申请号 EP19980302631 申请日期 1998.04.03
申请人 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 发明人 GUO, JYH-CHYURN;TSAI, W. J.
分类号 G11C16/10;G11C16/16;H01L29/788;(IPC1-7):H01L29/788;G11C16/04 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人
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