| 发明名称 | 单晶生长方法及生长装置 | ||
| 摘要 | 所公开的是具有优良结晶性且内部质量均匀因而光学性质极为优良的单晶的一种生长方法，此方法使得能够改善成品率。本发明在于一种生长β型硼酸钡(β-BaB<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>)单晶的方法，此方法包含间接加热坩埚，以便利用β-BaB<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>籽晶9，从盛在坩埚中的不使用助熔剂的硼酸钡(BaB<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>)熔液，生长β-BaB<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB>单晶21。 | ||
| 申请公布号 | CN1291072C | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN99101771.4 | 申请日期 | 1999.02.05 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 冈本勉;田附幸一;久保田重夫 |
| 分类号 | C30B15/14(2006.01) | 主分类号 | C30B15/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种生长β型硼酸钡(β-BaB2O4)单晶的方法，此方法包含间接加热坩埚，以便利用β-BaB2O4籽晶，从盛在所述坩埚中的不使用助熔剂的β-BaB2O4熔液，生长β-BaB2O4单晶的步骤，其中，在所述坩埚中所述熔液表面到液面上方10mm的范围内的温度梯度为165℃/cm和600℃/cm之间的温度条件下，用所述β-BaB2O4籽晶来生长所述的β-BaB2O4单晶。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||