| 发明名称 | 半导体衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体衬底及其制造方法。所述方法包括：在第一衬底中注入离子并在第一衬底中形成离子注入层的第一步骤，该第一衬底具有锗构件上的砷化镓层，将第一衬底粘结到第二衬底以形成粘结衬底叠层的第二步骤，以及将粘结衬底叠层在离子注入层处分开的第三步骤，从而制造半导体衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101145509A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710181235.5 | 申请日期 | 2004.04.28 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 米原隆夫 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底制造方法，包括：第一步骤，通过在第一衬底上形成的绝缘层在所述第一衬底中注入离子，并在第一衬底中形成离子注入层，其中所述第一衬底具有锗构件上的砷化镓层；将第一衬底粘结到第二衬底以形成粘结衬底叠层的第二步骤；将粘结衬底叠层在离子注入层处分开的第三步骤；以及去除第二衬底上的所述离子注入层的第四步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||