自限式沈积一或多单层之方法及其适合材料

摘要

本发明系有关一种沈积至少一薄膜之方法，该薄膜至少含一第一成份，被沈积在一反应室中至少一基板上，气态第一材料及第二材料被循环交替输入反应室中，其中至少第一材料含第一成份，每一循环基本上只可沈积单层第一成份。为使适当材料之范围增大，本发明将一限制剂与第一材料同时或错开输入反应室中，使得基板上第一成份之沈积在第一层完成后自动结束。