发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板、制造方法及液晶显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、制作方法及液晶显示装置。该薄膜晶体管阵列基板包括基板衬底、形成在基板衬底上的黑色矩阵层、栅极层、绝缘层、半导体层、欧姆接触层、第二导电层、钝化层以及透明导电层;第二导电层包括源极层和漏极层,栅极层在基板衬底上的投影区域与漏极层在基板衬底上的投影区域存在间隙。本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板、制作方法及液晶显示装置提升了相应液晶显示装置的显示效果。 |
申请公布号 |
CN103681695B |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
申请号 |
CN201310686690.6 |
申请日期 |
2013.12.13 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
陈彩琴 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
刁文魁;唐秀萍 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:形成分层结构于基板衬底上,所述分层结构为黑色矩阵层;对所述黑色矩阵层进行图形化处理;在所述分层结构上形成第一金属层;对所述第一金属层进行图形化处理,以形成栅极层;在所述分层结构上依次形成绝缘层、半导体层、欧姆接触层以及第二金属层,其中所述欧姆接触层位于所述半导体层上相互分离的第一区域和第二区域;对所述第二金属层进行图形化处理,以形成第二导电层,其中所述第二导电层包括源极层以及漏极层,所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接,所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接;在所述分层结构上形成钝化层,并对所述钝化层进行图形化处理,以形成所述钝化层的过孔;在所述分层结构上形成透明导电层,其中所述透明导电层通过所述过孔与所述漏极层电性连接,通过对所述透明导电层进行图形化处理,形成像素电极;其中所述栅极层在所述基板衬底上的投影区域与所述漏极层在所述基板衬底上的投影区域存在间隙。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |