一种有效控制功率器件终端场氧化层角度的方法

摘要

本发明公开了一种有效控制功率器件终端场氧化层角度的方法，包括如下步骤：1准备一片硅片，该硅片的参数由器件设计性质决定；2将硅片做表面清洗步骤后，热生长或化学气相淀积一层致密度为A1的第一氧化层；3采用化学气相淀积的方法，在第一氧化层上淀积一层致密度为A2的第二氧化层；第二氧化层的致密度A2应小于第一氧化层的致密度A1；4在第二氧化层上涂布光刻胶，并光刻定义出场氧化层的图形；5采用湿法刻蚀刻穿第二氧化层，继续采用湿法刻蚀直至刻穿第一氧化层；6去除光刻胶，形成最终的场氧化层图形。本发明通过对场氧化层刻蚀工艺进行优化，改善场氧化层角度的可控性和角度值，最终改善场板带来的电场分布，优化终端击穿。

主权项

一种有效控制功率器件终端场氧化层角度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，准备一片硅片，该硅片的参数由器件设计性质决定；步骤2，将硅片做表面清洗步骤后，热生长或化学气相淀积一层致密度为A1的第一氧化层；所述第一氧化层的厚度是0.1微米到10微米；步骤3，采用化学气相淀积的方法，在第一氧化层上淀积一层致密度为A2的第二氧化层；所述第二氧化层的致密度A2应小于所述第一氧化层的致密度A1；所述的第二氧化层的厚度在30埃到10微米之间；步骤4，在第二氧化层上涂布光刻胶，并光刻定义出场氧化层的图形；步骤5，采用湿法刻蚀刻穿第二氧化层，继续采用湿法刻蚀直至刻穿第一氧化层；利用致密度不同的所述第一氧化层和所述第二氧化层的湿法刻蚀速率的差异，在步骤5完成后，形成角度较大的所述第二氧化层和角度较小的所述第一氧化层；步骤6，去除光刻胶，形成最终的场氧化层图形，所述场氧化层图形作为功率器件终端的场板底部的场氧化层，利用所述场氧化层中的角度较小的所述第一氧化层作为边缘来改善所述功率器件终端的场板边缘处的电场分布，提高终端的耐压。