| 发明名称 |
- - ANTI-FUSE ONE-TIME PROGRAMMABLE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES |
| 摘要 |
안티-퓨즈 디바이스는 제 1 전극, 이 제 1 전극 상의 절연체, 이 절연체 상의 제 2 전극, 및 이 제 2 전극에 커플링된 선택기 로직을 포함한다. 디바이스는 또한, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전도성 경로를 포함한다. 전도성 경로는 원-타임 프로그래머블 비-휘발성 데이터 스토리지에 대한 하드 브레이크다운을 제공하도록 구성될 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160138974(A) |
申请公布日期 |
2016.12.06 |
| 申请号 |
KR20167026941 |
申请日期 |
2015.03.06 |
| 申请人 |
퀄컴 인코포레이티드 |
发明人 |
리, 시아;첸, 웨이-추안;강, 승 혁;이, 강호 |
| 分类号 |
G11C17/16;G11C11/00;G11C11/56;G11C13/00 |
主分类号 |
G11C17/16 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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