首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 MANUFACTURE OF MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH10340862(A) 申请公布日期 1998.12.22
申请号 JP19970151113 申请日期 1997.06.09
申请人 NEC YAMAGATA LTD 发明人 FUKAZAWA TOMOYOSHI
分类号 H01L21/28;H01L21/768;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com