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发明名称
Deep trench DRAM process on SOI for low leakage DRAM cell
摘要
申请公布号
EP0703625(A3)
申请公布日期
1999.03.03
申请号
EP19950114657
申请日期
1995.09.18
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
ALSMEIER, JOHANN;STENGL, REINHARD JOHANNES
分类号
H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/82
主分类号
H01L21/8242
代理机构
代理人
主权项
地址
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