| 发明名称 | 制造无裂纹碳化硅扩散元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造无裂纹烧结碳化硅体的方法,它包括下列步骤:a)提供原料粉末,包含i)至少40%(重量)粒度小于10微米的细颗粒级分,该细颗粒级分包含碳化硅;ii)至少40%(重量)粒度至少为30微米的粗颗粒级分,该粗颗粒级分包含碳化硅和小于0.1%(重量)的游离碳,该批原料粉末的二氧化硅总含量至少为0.5%(重量),碳化硅总含量至少为96%(重量);b)将原料粉末成形为坯体,和b)将坯体进行重结晶热处理,提供密度在2.0—2.8g/cc之间的重结晶碳化硅体。 | ||
| 申请公布号 | CN1232440A | 申请公布日期 | 1999.10.20 |
| 申请号 | CN97198553.7 | 申请日期 | 1997.10.03 |
| 申请人 | 圣戈本工业陶瓷股份有限公司 | 发明人 | S·戴南;J·欣德;J·韦达 |
| 分类号 | C04B35/573;C04B38/00;C30B31/10 | 主分类号 | C04B35/573 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 林蕴和 |
| 主权项 | 1．一种制造无裂纹的烧结碳化硅体的方法，该包括下列步骤：a)提供原料粉末，包含：ⅰ)至少40％重量的细颗粒级分，其粒度小于10微米，该细颗粒级分包含碳化硅，ⅱ)至少40％重量的粗颗粒级分，其粒度至少为30微米，该粗颗粒级分包括碳化硅和小于0.1％重量的游离碳，原料粉末的二氧化硅总含量至少为0.5％重量，原料粉末的碳化硅总含量至少为96％重量，b)将原料粉末成形为坯体，c)对坯体进行重结晶热处理，提供密度在2.0-2.8g/cc之间的重结晶碳化硅体。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||