封止層被覆半導体素子および半導体装置の製造方法

摘要

封止層被覆半導体素子の製造方法は、半導体素子を支持台の上に配置する配置工程、剥離層と、剥離層の下に積層され、熱硬化性樹脂からなる完全硬化前の封止層とを備える封止シートの封止層によって、半導体素子を埋設して封止する封止工程、および、封止工程の後に、封止層を加熱して硬化させる加熱工程を備える。加熱工程は、封止シートを、支持台に向けて、機械加圧しながら、第１温度で加熱する第１加熱工程、および、第１加熱工程の後に、封止シートを、第１温度より高温の第２温度で加熱する第２加熱工程を備える。