| 摘要 |
Спосіб створення омічного контакту до InN включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм. Як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd. Напилювання проводять на підігріту до 250÷600 °C поверхню n-InN. |
