| 发明名称 |
FERROELECTRIC GATE MEMORY, FORMATION OF FERROELECTRIC THIN FILM USED THEREFOR, AND PRECURSOR SOLUTION USED FOR THE FORMATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09213818(A) |
申请公布日期 |
1997.08.15 |
| 申请号 |
JP19960013038 |
申请日期 |
1996.01.29 |
| 申请人 |
OKI ELECTRIC IND CO LTD;SHINTO PAINT CO LTD |
发明人 |
MITA MITSURO;KOIWA ICHIRO;KANEHARA TAKAO;TAKATANI KAZUKI |
| 分类号 |
C01G39/00;C30B29/32;G11C11/22;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/824 |
主分类号 |
C01G39/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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