发明名称 |
掺杂有金属元素之半导体奈米材料及其制造方法 |
摘要 |
提供一种半导体奈米材料及其制造方法,此半导体奈米材料系藉由将至少一种金属元素与至少一种受掺杂元素混合加热进行固溶化处理(Solid-Solubilizing treatment)以形成固溶体(Solid Solution),再以此固溶体作为蒸镀源进行蒸镀制程,与原料或反应物经由气相传输沉积于基材上而成,其中固溶化处理的温度高于这些金属元素与受掺杂元素中至少一者的熔点。 |
申请公布号 |
TWI319447 |
申请公布日期 |
2010.01.11 |
申请号 |
TW095124703 |
申请日期 |
2006.07.06 |
申请人 |
国立成功大学 |
发明人 |
王瑞琪;刘全璞;黄肇瑞 |
分类号 |
C30825/06;C23C14/00;H01L21/20 |
主分类号 |
C30825/06 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
一种单晶相氧化铝锌半导体奈米材料,其中该单晶相氧化铝锌半导体奈米材料之结构系选自于由奈米线(Nanowire)、奈米管(Nanotube)、奈米柱(Nanorod)、奈米带(Nanobelt)、奈米钉(Nanonail)及奈米针(Nanoneedle)所组成之一族群,其特征在于铝在该单晶相氧化铝锌半导体奈米材料之含量为2.5原子百分比,该单晶相氧化铝锌半导体奈米材料之直径为15 nm至300 nm,该单晶相氧化铝锌半导体奈米材料于10 μA/cm2的电流密度下具有4.1 V/μm之起始发射电场,且该单晶相氧化铝锌半导体奈米材料在1 mA/cm2的电流密度下具有5.6 V/μm之临界电场。 |
地址 |
台南市东区大学路1号 |