| 发明名称 |
NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11154714(A) |
申请公布日期 |
1999.06.08 |
| 申请号 |
JP19980158315 |
申请日期 |
1998.05.22 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD |
发明人 |
YAMAZAKI SHUNPEI;KOYAMA JUN;HAYASHI YOSHISUKE |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/77;H01L21/84;H01L27/115;H01L27/12;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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