发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING CAPACITOR STRUCTURES |
摘要 |
Erfindungsgemäss wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest einer Kondensatorstruktur mit den folgenden Schritten bereitgestellt: ein Substrat wird bereitgestellt, eine erste Elektrode wird auf dem Substrat erzeugt, eine Maske wird erzeugt, wobei die erste Elektrode in einer Öffnung der Maske angeordnet ist, zumindest eine dielektrische Schicht und zumindest eine leitende Schicht für eine zweite Elektrode werden aufgebracht, wobei die Oberfläche des Teils der leitenden Schicht, der in der Öffnung der Maske aufgebracht wird, im wesentlichen unterhalb der Oberfläche der Maske angeordnet ist, und durch Polieren werden die leitende Schicht und die dielektrische Schicht strukturiert, so dass eine Kondensatorstruktur erzeugt wird. |
申请公布号 |
WO0184605(A1) |
申请公布日期 |
2001.11.08 |
申请号 |
WO2001EP04786 |
申请日期 |
2001.04.27 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;HARTNER, WALTER;SCHNABEL, RAINER, FLORIAN;SCHINDLER, GUENTHER |
发明人 |
HARTNER, WALTER;SCHNABEL, RAINER, FLORIAN;SCHINDLER, GUENTHER |
分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/02 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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