| 发明名称 | 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够形成高密度和高纯度EL层的膜形成装置和清洁方法。本发明为通过加热衬底的加热装置加热衬底10、借助连接到膜形成室的减压装置(如涡轮分子泵、干泵、低温抽气泵等的真空泵)将膜形成室的压力减小到5×10<SUP>－3</SUP>乇(0.665Pa)或以下，优选减小到1×10<SUP>－3</SUP>乇(0.133Pa)或以下并通过从淀积源淀积有机化合物材料进行膜形成，形成高密度EL层。在膜形成室中，通过等离子体进行淀积掩模的清洁。 | ||
| 申请公布号 | CN101054657A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710089037.6 | 申请日期 | 2002.12.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;村上雅一 |
| 分类号 | C23C14/22(2006.01);C23C14/54(2006.01);H01L51/56(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | C23C14/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种形成EL器件的方法，包括：将膜形成室保持真空，真空度为5×10-3乇或更低的压强；通过从淀积源在衬底上淀积淀积材料形成膜；以及在衬底上淀积淀积材料期间在该真空中加热衬底。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||