发明名称 基板的表面处理方法
摘要 一种利用光激发过程对导电基板进行表面处理的方法,包括:将一个导电基板放置于一个工艺室(1)中,所述工艺室中的压力保持在0.001~1个大气压之间,同时向基板(2)施加一个负偏电压,从装于带有一个光输出窗的工艺室的紫外线光源产生具有3~10eV的光子能的紫外线,该光子能大于所述基板表面的功函数,并且向所述工艺室容器中通入工艺气体,从而通过从所述基板表面发射的电子与工艺气体分子碰撞来产生离子和自由基(6),所述离子和自由基可以到达所述基板(2)的表面,因此,即使对于大面积的基板来说,也可能简单地、高效地、低成本地并且容易地对基板进行表面处理。
申请公布号 CN100355029C 申请公布日期 2007.12.12
申请号 CN03816291.1 申请日期 2003.07.09
申请人 月岛机械株式会社;高桑雄二 发明人 高桑雄二
分类号 H01L21/205(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/318(2006.01);C23C16/27(2006.01);C23C16/48(2006.01);G11B5/39(2006.01);G11B5/84(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种基板的表面处理方法,其特征在于,在一工艺室中放置一导电基板,将所述工艺室中的压力保持在0.001~1个大气压之间,将一工艺气体通入所述工艺室内,从装于带有一光输出窗的一工艺室中的一光源辐照出具有3~10eV的光子能的紫外线以使电子从所述基板的表面发射,具有多个允许紫外线的通过的开口的电极在所述光源和基板之间设置,所述电极面对基板,向所述基板施加一相对于所述电极的负偏电压以加速所述发射的电子,通过该加速的电子和所述工艺气体的碰撞而在所述基板和电极之间的基板的表面的附近形成较高密度的等离子体,且该等离子体被用于对所述基板的表面进行处理。
地址 日本东京都