发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는 복수의 반도체층; 제1 반도체층과 전기적으로 연통하는 제1 전극부; 제2 반도체층과 전기적으로 연통하는 제2 전극부; 그리고 활성층에서 생성된 빛을 성장 기판 측으로 반사하도록 복수의 반도체층 위에 형성되며, 개구가 형성된 비도전성 반사막;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중의 적어도 하나는: 상면 및 상면과 연결된 측면을 구비하며, 개구에 의해 적어도 일부가 노출되는 하부 전극; 비도전성 반사막 위에 구비되는 상부 전극; 그리고 상부 전극과 연통하는 전기적 연결;로서, 개구로 이어져 하부 전극의 상면과 접촉하며, 하부 전극의 상면 및 측면이 만나는 에지를 덮는 전기적 연결;을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
申请公布号 KR101638120(B1) 申请公布日期 2016.07.11
申请号 KR20140037938 申请日期 2014.03.31
申请人 주식회사 세미콘라이트 发明人 전수근
分类号 H01L33/08;H01L33/10;H01L33/36 主分类号 H01L33/08
代理机构 代理人
主权项
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