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트랜지스터 디바이스, 및 전계 효과 트랜지스터 디바이스를 형성하는 방법이 제공된다. 예시적인 트랜지스터 디바이스는 반도체 기판 및 디바이스 층을 포함한다. 디바이스 층은 나노와이어의 일부분을 포함하는 채널 영역에 의해 연결된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 채널 영역은 반도체 기판 위에 희생 층을 제공함으로써 형성된다. 나노와이어는 희생 층 위에 형성되고, 희생 층은 식각된다. 식각은 나노와이어의 제거를 방지하기 위해 희생 층에 대해 선택적이고, 식각은 나노와이어의 일부분이 반도체 기판 위에서 부유될 수 있게 할 수 있다. 나노와이어의 적어도 일부분을 둘러싸는 게이트 영역이 형성된다. 게이트 영역은 나노와이어의 일부분의 모든 측면들 위에 컨포멀 방식으로 증착되며, 상기 일부분은 반도체 기판 위에서 더 이상 부유되지 않는다. |
