| 摘要 |
芯材パターン形成工程にて、基材１１上に芯材パターン１４を形成し、薄膜化工程にて、芯材パターン１４の所望の部位の厚みを薄くして薄膜部位１５とし、薄膜部位１５と芯材パターン１４の他の部位との間に厚みの境界１５ａを設け、側壁材料膜形成工程にて、少なくとも芯材パターン１４を被覆するように側壁材料膜１６を形成し、エッチバック工程にて、側壁材料膜１６および芯材パターン１４，薄膜部位１５に対してエッチング処理を施し、薄膜部位１５およびその側壁１４ｂに存在する側壁材料膜１６を除去し、残存する芯材パターン１４の側壁１４ｂに側壁材料膜１６を存在させ、芯材パターン除去工程にて、芯材パターン１４を除去して側壁材料膜１６からなるパターン構造体１７を基材１１上に存在させた状態とする。 |
