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发明名称
Accumulation型MOSFET
摘要
本発明の主たる課題は、MOSFETのOFF時(零V)とON時(電源電圧)におけるドレイン電流の比が大きく、且、ON時の電流駆動能力も大きいAccumulation型MOSFETを提供することである。上記課題は、Accumulation型MOSFETにおいて、トンネル電子放出部と熱電子放出部とをソース領域部に設けることで解決される。
申请公布号
JPWO2014064737(A1)
申请公布日期
2016.09.05
申请号
JP20130557318
申请日期
2012.10.25
申请人
国立大学法人東北大学
发明人
寺本 章伸
分类号
H01L29/786;H01L29/66
主分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
主权项
地址
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