| 发明名称 | 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法包括：在衬底中形成P阱；在P阱中形成P型重掺杂区，并且在P阱中形成N型漂移区；在P型重掺杂区中形成源极区域；在N型漂移区中形成漏极接触区；以及沉积栅极氧化物并形成多晶硅栅极。在P阱中形成N型漂移区的步骤包括：第一离子步骤，用于执行注入能量为650keV的磷注入；第二离子步骤，用于执行注入能量为450keV的磷注入；第三离子步骤，用于执行注入能量为140keV的磷注入；以及第四离子步骤，用于执行注入能量为300keV的砷注入。根据本发明，能够有效地改善横向双扩散金属氧化物半导体器件的输出曲线、衬底电流、漏源导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102683187B | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201210143439.0 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于包括：在衬底中形成P阱；在P阱中形成P型重掺杂区，并且在P阱中形成N型漂移区；在P型重掺杂区中形成源极区域；在N型漂移区中形成漏极接触区；以及沉积栅极氧化物并形成多晶硅栅极；其中，在P阱中形成N型漂移区的步骤依次包括：第一离子步骤，用于执行注入能量为650keV的磷注入；第二离子步骤，用于执行注入能量为450keV的磷注入；第三离子步骤，用于执行注入能量为140keV的磷注入；以及第四离子步骤，用于执行注入能量为300keV的砷注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||