| 主权项 |
1.一种高增益全向性天线,其包含有: 一基板,其具有相对之一第一表面与一第二表面, 该第一表面与第二表面上分别形成有一第一金属 线路与一第二金属线路; 一讯号馈入部,位于该金属线路上,用以接收一馈 入讯号; 一第一辐射单元,形成于该基板之该第一表面,与 该第一金属线路相连接,用以辐射该讯号馈入部所 接收的馈入讯号; 一第二辐射单元,形成于该基板之该第二表面,与 该第二金属线路相连接,用以辐射该讯号馈入部接 收的馈入讯号; 一第一辐射接点,位于该第一辐射单元上;以及 一第二辐射接点,位于该第二辐射单元上,用以与 该第一辐射接点连接,使该第一辐射单元与该第二 辐射单元形成一封闭回路。 2.如申请专利范围第1项所述之高增益全向性天线, 其中该第一辐射单元与该第二辐射单元形状相同, 位置相互对称。 3.如申请专利范围第1项所述之高增益全向性天线, 其中该第一辐射单元与该第二辐射单元是长形或 指状形状。 4.如申请专利范围第1项所述之高增益全向性天线, 其中该第一辐射单元与该第二辐射单元是不对称 之形状相异的几何图形。 5.如申请专利范围第1项所述之高增益全向性天线, 其中该第一辐射接点包含有一第一子接点与一第 二子接点。 6.如申请专利范围第1项所述之高增益全向性天线, 其中该第二辐射接点包含有一第一子接点与一第 二子接点。 7.如申请专利范围第1项所述之高增益全向性天线, 其中该第一辐射接点与该第二辐射接点之连接方 式系透过将基板穿孔以焊接在一起。 8.如申请专利范围第1项所述之高增益全向性天线, 其中该第一辐射接点与该第二辐射接点之连接方 式系透过将基板布线连接。 9.一种高增益全向性天线,其包含有: 一基板,其具有相对之一第一表面与一第二表面, 该第一表面与第二表面上分别形成有一第一金属 线路与一第二金属线路; 一讯号馈入部,位于该金属线路上,用以接收一馈 入讯号;复数个第一辐射单元,形成于该基板之该 第一表面,与该第一金属线路相连接,用以辐射该 讯号馈入部所接收的馈入讯号; 复数个第二辐射单元,形成于该基板之该第二表面 ,与该第二金属线路相连接,用以辐射该讯号馈入 部接收的馈入讯号; 复数个第一辐射接点,位于该第一辐射单元上;以 及 复数个第二辐射接点,位于该第二辐射单元上,用 以与该第一辐射接点连接,使该第一辐射单元与该 第二辐射单元形成一封闭回路。 10.如申请专利范围第9项所述之高增益全向性天线 ,其中该第一辐射单元与该第二辐射单元形状相同 ,位置相互对称。 11.如申请专利范围第9项所述之高增益全向性天线 ,其中该第一辐射单元与该第二辐射单元是长形或 指状形状。 12.如申请专利范围第9项所述之高增益全向性天线 ,其中该第一辐射单元与该第二辐射单元是不对称 之形状相异的几何图形。 13.如申请专利范围第9项所述之高增益全向性天线 ,其中该复数个第一辐射接点包含有复数个第一子 接点与复数个第二子接点。 14.如申请专利范围第9项所述之高增益全向性天线 ,其中该复数个第二辐射接点包含有复数个第一子 接点与复数个第二子接点。 15.如申请专利范围第9项所述之高增益全向性天线 ,其中该第一辐射接点与该第二辐射接点连接方式 系透过将基板穿孔以焊接在一起。 16.如申请专利范围第9项所述之高增益全向性天线 ,其中该第一辐射接点与该第二辐射接点之连接方 式系透过将基板布线连接。 图式简单说明: 第1A图系为常见的高增益全向性天线之第一面示 意图; 第1B图系为常见的高增益全向性天线之第二面示 意图; 第2A图系为本创作之第一实施例之第一表面之正 面示意图; 第2B图系为本创作之第一实施例之第二表面之正 面示意图; 第3图系为本创作第二实施例之示意图; 第4A图系为本创作之第三实施例之第一表面之正 面示意图; 第4B图系为本创作之第三实施例之第二表面之正 面示意图; 第5图系为本创作第二实施例之场的方向性对频率 的关系图; 第6A图系为本创作之第二实施例之水平面之二维 辐射场形图,以频率値2.2GHz作测试; 第6B图系为本创作之第二实施例之水平面之二维 辐射场形图,以频率値2.3GHz作测试; 第6C图系为本创作之第二实施例之水平面之二维 辐射场形图,以频率値2.4GHz作测试; 第6D图系为本创作之第二实施例之水平面之二维 辐射场形图,以频率値2.5GHz作测试; 第6E图系为本创作之第二实施例之水平面之二维 辐射场形图,以频率値2.6GHz作测试; 第6F图系为本创作之第二实施例之水平面之二维 辐射场形图,以频率値2.7GHz作测试; 第6G图系为本创作之第二实施例之水平面之二维 辐射场形图,以频率値2.8GHz作测试; 第7A图系为本创作之第二实施例之垂直面之二维 辐射场形图,以频率値2.2GHz作测试; 第7B图系为本创作之第二实施例之垂直面之二维 辐射场形图,以频率値2.3GHz作测试; 第7C图系为本创作之第二实施例之垂直面之二维 辐射场形图,以频率値2.4GHz作测试; 第7D图系为本创作之第二实施例之垂直面之二维 辐射场形图,以频率値2.5GHz作测试; 第7E图系为本创作之第二实施例之垂直面之二维 辐射场形图,以频率値2.6GHz作测试; 第7F图系为本创作之第二实施例之垂直面之二维 辐射场形图,以频率値2.7GHz作测试;以及 第7G图系为本创作之第二实施例之垂直面之二维 辐射场形图,以频率値2.8GHz作测试。 |
