含有含氟化合物的气体的处理方法及设备

摘要

本发明是关于含氟化合物的触媒分解处理技术，尤其有关半导体产业所产生的含全氟碳化物，氢氟碳化物，NF₃，或SF₆的废气的触媒分解处理技术。一种含有含氟化合物的气体的处理方法，包含下列步骤：a)于水气或水气及氧的存在下，将一含有含氟化合物的气体于300～800℃与触媒接触，使该含氟化合物被分解，而形成含有氟化氢的第一处理气体产物；b)将该第一处理气体产物与一固态吸附剂接触，使该第一处理气体产物中的氟化氢为该吸附剂所吸附，而形成一实质上不含有氟化氢的第二处理气体产物。由于第二处理气体产物不含有强腐蚀性氟化氢，于是本发明可使用一热交换器使其加热该含有含氟化合物的气体，而回收该第二处理气体产物的热。

主权项

1.一种含有含氟化合物的气体的处理方法，包含下列步骤：a)于水气或水气及氧的存在下，将一含有含氟化合物的气体于300～800℃与触媒接触，使该含氟化合物被分解，而形成含有氟化氢的第一处理气体产物；b)将该第一处理气体产物与一固态吸附剂(sorbent)接触，使该第一处理气体产物中的氟化氢为该吸附剂所吸附，而形成一实质上不含有氟化氢的第二处理气体产物。