| 发明名称 | 有源元件基板及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种有源元件基板的形成方法，包括：提供基板，具有：半导体层，该半导体层具有源极掺杂区、通道区和漏极掺杂区；栅极绝缘层，位于该半导体层之上；和栅极，位于该栅极绝缘层之上，对应于该通道区；在该栅极和该栅极绝缘层之上依次沉积介电层和透明导电层；图案化该透明导电层和该介电层，分别形成两接触窗以暴露出该源极掺杂区和该漏极掺杂区；并且在该透明导电层上形成源极和漏极，透过该接触窗分别与该源极掺杂区和该漏极掺杂区电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1889253A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200610109001.5 | 申请日期 | 2006.07.25 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 郑逸圣 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种有源元件基板的形成方法，包括：提供基板，具有：半导体层，该半导体层具有源极掺杂区、通道区和漏极掺杂区；栅极绝缘层，位于该半导体层之上；和栅极，位于该栅极绝缘层之上，对应于该通道区；在该栅极和该栅极绝缘层上依次沉积介电层和透明导电层；图案化该透明导电层和该介电层，分别形成两接触窗以暴露出该源极掺杂区与该漏极掺杂区；并且在该透明导电层上形成源极与漏极，透过该接触窗分别与该源极掺杂区和该漏极掺杂区电连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||