一种氮化物发光组件的三元氮化物缓冲层及其制造方法

摘要

具有三元氮化物缓冲层的氮化物发光组件，包含衬底、形成于该衬底上的三元氮化物缓冲层、形成于所述缓冲层上的第一导电型氮化物半导体叠层、形成于所述第一导电型氮化物半导体叠层上的发光层和形成于该发光层上的第二导电型氮化物半导体叠层，该三元氮化物缓冲层的制造方法为：在第一预定温度通入含熔点温度小于第一预定温度的第一Ⅲ族元素的第一气体反应源，该第一Ⅲ族元素沉积于所述衬底上，在不小于所述第一Ⅲ族元素的熔点温度的第二预定温度通入含第二Ⅲ族元素的第二气体反应源及含氮元素的第三气体反应源，与所述第一Ⅲ族元素反应而形成。

主权项

1.一种氮化物发光组件的三元氮化物缓冲层的制造方法，其步骤至少包含：提供衬底；在第一预定温度下通入含第一III族元素的第一气体反应源，该第一III族元素的熔点温度小于该第一预定温度，其中该第一III族元素沉积于该衬底上；以及在第二预定温度下通入含第二III族元素的第二气体反应源及含氮元素的第三气体反应源，与沉积于该衬底上的第一III族元素反应形成三元氮化物缓冲层，其中该在第二预定温度不小于该第一III族元素的熔点温度。