| 主权项 |
1.一种III-氮化物装置,其包含: 一第一层,其由一具有一第一组成物的第一III-氮 化物材料组成; 一第二层,其由一具有一第二组成物之第二III-氮 化物材料组成,该第二组成物不同于该第一组成物 ,该第二层配置成与该第一层接触; 一由该第一及该第二层所形成之界面,其可提供一 用来携带电流的二维电子气;及 该第一及第二层系被形成以使得在该第一及第二 层的界面平面中之晶格常数大约相同。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一或第二 III-氮化物材料中之一者为GaN。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该第一或第二 III-氮化物材料中之另一者为InAlGaN。 4.如申请专利范围第2项之装置,其中该GaN材料具有 一能带隙,该能带隙比该第一或第二III-氮化物材 料中之另一者为小。 5.如申请专利范围第3项之装置,其中该InAlGaN材料 具有一能带隙,该能带隙大于GaN材料的能带隙。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一III-氮 化物材料及该第二III-氮化物材料具有不同的能带 隙。 7.一种III-氮化物装置,其包含: 一第一层,其由一具有一第一组成物、一能带隙及 一面内晶格常数的第一III-氮化物材料组成; 一第二层,其由一具有一第二组成物、另一能带隙 及另一面内晶格常数的第二III-氮化物材料组成, 该第二组成物不同于该第一组成物,该第二层配置 成与该第一层接触;及 一由该第一及第二层所形成的界面,其可提供一用 来携带电流的二维电子气; 其中该第一层之面内晶格常数系等于或大于该第 二层之另一面内晶格常数,且该第一层之能带隙系 大于该第二层之能带隙。 8.一种场效电晶体,其包含: 一源极、一闸极及一汲极电极,其中可由该闸极来 控制一在该源极与汲极电极间之通道; 该通道由一二维电子气形成,该二维电子气可在具 有不同组成物的二种III-氮化物材料之界面处获得 ;及 III-氮化物材料中之一者具有一晶格常数A及一能 带隙A;且该III-氮化物材料中之另一者具有一晶格 常数B及一能带隙B: 其中晶格常数B系等于或大于晶格常数A,且能带隙B 系大于能带隙A。 9.如申请专利范围第8项之电晶体,其中该具有晶格 常数B的III-氮化物材料在闸极下之厚度与在源极 或汲极电极下不同。 10.如申请专利范围第9项之电晶体,其中该具有晶 格常数B之III-氮化物材料可形成一良好的欧姆接 触。 11.如申请专利范围第8项之电晶体,其中该具有晶 格常数A之III-氮化物材料为GaN,及该III-氮化物材料 中之另一者为InAlGaN。 12.如申请专利范围第8项之电晶体,其中在常数A与 常数B间之关系趋向于能在靠近界面处平衡自发性 极化场与压电极化场,藉此该界面具有零电荷累积 。 13.如申请专利范围第8项之电晶体,其中常数A与常 数B间的关系系提供来控制自发性极化场及压电极 化场之产生。 14.如申请专利范围第13项之电晶体,其中该具有能 带隙値大于另一种III-氮化物材料之III-氮化物材 料为InAlGaN。 15.一种用来建构一III-氮化物装置的方法,其包括: 提供一具有一面内晶格常数A的第一III-氮化物材 料层; 以一具有一面内晶格常数B的第二III-氮化物材料 层来覆盖该第一III-氮化物材料;及 调整该第一或第二III-氮化物材料之组成物,以在 常数A与常数B间产生一让B大于或等于A之关系。 16.如申请专利范围第15项之方法,更包括提供GaN作 为该第一或第二III-氮化物材料中之一者。 17.如申请专利范围第16项之方法,更包括提供InAlGaN 作为该第一或第二III-氮化物材料中之另一者。 18.如申请专利范围第15项之方法,更包括获得一该 III-氮化物材料中之一者的能带隙値,使该能带隙 値大于该III-氮化物材料中的另一者的能带隙値。 19.一种用来制造一以III-氮化物为基础的场效电晶 体之方法,其包括: 在二种III-氮化物材料间之界面处平衡压电及自发 性极化场; 提供该等III-氮化物材料中之一者的面内晶格常数 ,使其大于或等于该III-氮化物材料中之另一者的 面内晶格常数;及 提供一电场以准许或防止在界面处形成二维电子 气。 20.一种III-氮化物装置,其包含: 一第一层,其由一具有一第一组成物之第一III-氮 化物材料组成; 一第二层,其由一具有一第二组成物之第二III-氮 化物材料组成,该第二组成物与该第一组成物不同 ,该第二层配置成与该第一层接触; 藉此在该第一与第二层间之界面可让该自发及压 电极化实质上彼此消除,藉此在该界面处实质上无 净电荷。 21.如申请专利范围第20项之装置,其中该第一或第 二III-氮化物材料中之一者的能带隙大于另一者的 能带隙。 图式简单说明: 第1图为根据本发明之装置图。 第2图为与In材料含量有关之能带隙及临界场的曲 线图。 第3图为与InAlGaN层厚度有关之2DEG密度的曲线图。 |
