オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法

摘要

オプトエレクトロニクス素子（１０）は、ケーシング（１００）を含んでいる。このケーシング（１００）は、ケーシング（１００）の上面（１０１）に向かって開放されている第１のキャビティ（２００）と、ケーシング（１００）の上面（１０１）に向かって開放されている第２のキャビティ（３００）とを有している。第１のキャビティ（２００）と第２のキャビティ（３００）とは、接続チャネル（４００）によって接続されている。第１のキャビティ（２００）の中には、オプトエレクトロニクス半導体チップ（７００）が配置されている。第１のキャビティ（２００）には、オプトエレクトロニクス半導体チップ（７００）が配置されている。第１のキャビティ（２００）の、オプトエレクトロニクス半導体チップ（７００）を包囲している領域には、注封材料（８００）が配置されている。