| 摘要 |
보이드 등을 발생시키지 않고, 또한, 복잡한 공정을 거치거나 배선간의 리크 전류의 증대를 수반하는 일 없이, 일렉트로마이그레이션 내성이 높은 Cu 배선을 얻을 수 있는 Cu 배선의 형성 방법을 제공한다. 트렌치를 갖는 웨이퍼 W의 전면에 배리어막을 형성하는 공정과, 배리어막 위에 Ru막을 형성하는 공정과, Ru막 위에 PVD에 의해 Cu막을 형성해서 트렌치에 Cu막을 매립하는 공정과, Cu막 위에, 부가층을 형성하는 공정과, CMP에 의해 전면을 연마해서 트렌치에 Cu 배선을 형성하는 공정과, 웨이퍼 W 전면에 산화 망간막으로 이루어지는 메탈 캡을 형성하는 공정과, 메탈 캡 위에 유전체 캡을 형성하는 공정을 갖는다. |
