拥有独立偏压源极的侧向双扩散金属氧化半导体

摘要

一种高功率金属氧化半导体元件包含一P型基极区域，此P型基极区域具有N+型源极且在施以电负载时其偏压与P型基材不同。在一实施例中，使用NPN配置的LDMOS元件，而且其元件源极与基层接点耦接以防止产生NPN寄生元件。P型基极区域形成在N型井内，此N型井将基极区域与P形基材以及环绕之P型井隔开。高掺杂的N+型埋藏层隔开N型井与P型基材，以防止垂直电击穿。