闪烁存储器、其写入和删除方法及其制造方法

摘要

本发明的目的是提供即使栅绝缘膜不薄也可以低电压工作并且可靠性高的闪烁存储器。该闪烁存储器包括设置在该半导体基片1表面上的带有拐角的沟槽2,在该沟槽内的表面上设置的栅绝缘膜3,通过该栅绝缘膜埋入沟槽内的浮栅4,和与该浮栅绝缘设置的控制栅5,其特征在于,在所述沟槽的底部的拐角中,通过所述栅绝缘膜使所述浮栅的角与半导体基片的隅相对,在控制栅为低电位,而半导体基片为高电位时,从浮栅拐角的角中的拉出电子。

主权项

1.一种闪烁存储器，在半导体基片上配有：设置在该半导体基片表面上的有拐角的沟槽；设置在该沟槽内表面上的栅绝缘膜；通过该栅绝缘膜埋入沟槽内的浮栅；和与该浮栅绝缘地设置的控制栅；其特征在于，在所述沟槽的底部拐角上，通过所述栅绝缘膜使所述浮栅的角部与半导体基片的隅相对，在控制栅为低电位，而半导体基片为高电位时，从浮栅拐角的角部拉出电子。