发明名称 | 同时程式化与程式化验证之非挥发记忆体 | ||
摘要 | 本发明描述一种页面模式程式化序列,包含第一及第二偏压施加循环。在第一循环,一程式化偏压施加于此组记忆体细胞的一第一部份,同时施加一程式化验证偏压及感应储存于此组记忆体细胞的一第二部分。在此手段中,此组记忆体细胞的一第一部份被程式化,而此组记忆体细胞的一第二部份被验证,此作业之后运作一第二偏压施加循环,其中一程式化偏压至此组记忆体细胞的一第二部份,同时施加一程式化验证偏压及感应储存于此组记忆体细胞的一第一部分。 | ||
申请公布号 | TW200713327 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094134377 | 申请日期 | 2005.09.30 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何文乔;史毅骏;张钦鸿;洪俊雄 |
分类号 | G11C8/18(2006.01) | 主分类号 | G11C8/18(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |