半导体记忆装置

摘要

本发明提供一种半导体记忆装置，系对应各字元线设置根据记忆单元电晶体之临限值电压的变动来调整选择字元线时之电压位准的位准移位元件。该位准移位元件系使驱动器电源电压降压，并传达至选择字元线上。另外，亦可取代位准移位元件，而设置根据记忆单元电晶体的临限值电压位准下拉字元线电压的下拉元件。在两种情况下，皆可在不必使用其他电源系统的状态下，根据记忆单元电晶体之临限值电压的变动来调整选择字元线电压位准，且不会使电源系统复杂化，而在低电源电压下依然可进行稳定的资料写入/读出。