可编程只读存储器

摘要

一种可编程只读存储器包括存储单元或安排为阵列的多个这种单元。每一个存储单元包括诸如MOS TFT之类的晶体管。电子开关允许诸如栅极之类的控制电极在编程模式器件被充分电隔离，使得栅极在该模式期间电浮置。在编程模式期间，将编程电压施加到晶体管的主传导路径的两端，如在源－漏沟道的两端。编程电压足够大以在晶体管的控制电极浮置时熔断主传导路径，但不足以在控制电极未浮置并连接到适当的限定电压时熔断主传导路径。因此晶体管在执行存储单元选择功能的同时用作可熔元件，且该装置需要较少的能够在熔断所需的编程电流下工作的晶体管。因此该存储器可占据减小的面积。

主权项

1.一种可编程只读存储器，包括：至少一个存储单元，所述存储单元或每一个所述存储单元包括具有主传导路径和控制电极的晶体管；至少一个第一电子开关，用于在编程步骤期间选择性地充分隔离所述至少一个单元的控制电极；以及用于在编程步骤期间在所述至少一个单元的主传导路径的两端施加电压的装置，所述电压足以在所述控制电极被充分隔离时熔断所述主传导路径，且不足以在所述控制电极未被充分隔离时熔断所述主传导路径。