摘要 |
dispositivo de comutação, e, método. um dispositivo de comutação (300) inclui um primeiro eletrodo (316) disposto pelo menos parcialmente dentro de uma câmara vedada (314). a câmara vedada (314) encerra um material de mudança de fase de plasma. o dispositivo de comutação (300) inclui um segundo eletrodo (318) disposto pelo menos parcialmente dentro da câmara vedada (314), o segundo eletrodo (318) é fisicamente separado do primeiro eletrodo (316). quando submetido a um sinal (360/361) que satisfaz a um limite, o material de mudança de fase de plasma forma um plasma dentro da câmara vedada (314). o primeiro eletrodo (316) é eletricamente acoplado ao segundo eletrodo (318) através do plasma, quando o plasma é formado. o primeiro eletrodo (316) é eletricamente isolado do segundo eletrodo (318), quando o plasma não é formado. o dispositivo de comutação (300) inclui um primeiro conector (404) eletricamente acoplado ao primeiro eletrodo (316) e um segundo conector (406) eletricamente acoplado ao segundo eletrodo (318). o primeiro conector (404), o segundo conector (406), ou ambos, são configurados para receber o sinal (360/361). |