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다른 여러가지가 있지만, 하나 이상의 반도체 장치들, 및 그러한 반도체 장치들을 형성하기 위한 방법들이 제공된다. 폴리층 또는 층간 유전체(ILD)층과 같은 층이 기판 상부에 형성된다. 상기 층 상부에 포토레지스트 마스크가 형성된다. 포토레지스트 마스크는 상기 층의 타겟 영역 위에 놓인 오픈 영역을 포함하고, 상기 층의 제 2 영역 위에 놓인 보호 영역을 포함한다. 보호 영역은 에칭 공정이 제 2 영역 내의 상기 층에 영향을 미치는 것을 금지하기 때문에 제 2 영역 내의 상기 층의 높이에 비해 상기 타겟 영역 내의 상기 층의 높이를 감소시키기 위해 상기 오픈 영역을 통해 제 1 에칭 공정이 수행된다. 제 1 높이를 갖는 제 1 구조물이 타겟 영역 내에 형성된다. 제 1 높이보다 큰 제 2 높이를 갖는 제 2 구조물이 제 2 영역 내에 형성된다. |
