| 主权项 |
1.一种聚醯亚胺薄膜基材,包含: 一聚醯亚胺层,厚度介于2至500微米范围内,该聚醯 亚胺层系包含聚醯亚胺基质聚合物,该聚醯亚胺基 质聚合物系藉着于一或多个步骤中使包含二胺与 二酐之前驱物组合物接触,至少70莫耳百分比之二 胺系为芳族曲轴二胺及芳族共线二胺,该芳族曲轴 二胺相对于芳族共线二胺系为60-95:5-40莫耳比; 至少70莫耳百分比之二酐系为芳族曲轴二酐及芳 族共线二酐,该芳族曲轴二酐与该芳族共线二酐之 莫耳比系为5-35:65-95, 该二胺与二酐曲轴成份或为非刚性曲轴单体或刚 性曲轴单体,使得非刚性曲轴单体相对于刚性曲轴 单体之莫耳比系为A:B,其中A系由50至100,且B系为由0 至50; 该前驱物组合物系固化成拉伸模数大于700 kpsi(于 20℃下),以提供具有下列性质之聚醯亚胺基质聚合 物: a.水蒸汽之穿透率大于0.3克-毫米/(米2-日),及 b.于50℃及250℃间测量之线性热膨胀系数系为5至25 ppm/℃。 2.如申请专利范围第1项之基材,其中该聚醯亚胺层 之另一特征系具有小于或等于20 ppm每% RH之吸湿膨 胀系数。 3.如申请专利范围第1或2项之基材,其中该聚醯亚 胺层之另一特征系具有小于或等于3.0%之吸水率。 4.如申请专利范围第1或2项之基材,其中该聚醯亚 胺层之另一特征系具有大于0.1密耳/分钟之蚀刻速 率。 5.如申请专利范围第1项之基材,该曲轴单体系包含 刚性曲轴单体及非刚性曲轴单体,其中非刚性曲轴 单体相对于刚性曲轴单体之莫耳比系为A:B,其中A 系为由70至95,且B系为由5至30。 6.如申请专利范围第5项之基材,其中该非刚性二胺 曲轴单体系包含介于第一芳族环与第二芳族环之 间的桥连基团,该桥连基团系包含一或多个由下列 基团组成之群者:-O-、-N(H)-C(O)-、-S-、-SO2-、-C(O)- 、-C(O)O-、-C(CF3)2-、-C(R,R')-,其中R及R'系相同或相 异,且系为任何可键结于碳之有机基团。 7.如申请专利范围第5项之基材,其中该聚醯亚胺基 质聚合物系具有高于300℃之玻璃态化温度。 8.如申请专利范围第1项之基材,其中该聚醯亚胺层 系具有由800至1200 kpsi之模数。 9.如申请专利范围第1项之基材,其中该芳族曲轴二 胺系包含3,4'-氧基二苯胺("3,4'-ODA")或其官能性衍 生物。 10.如申请专利范围第1项之基材,其中该芳族曲轴 二酐系包含3,3',4,4'-联苯基四羧酸二酐("BPDA")或其 官能性衍生物。 11.如申请专利范围第1项之基材,其中该芳族共线 二胺系包含对-苯二胺("PPD")或其官能性衍生物。 12.如申请专利范围第1项之基材,其中该芳族共线 二酐系包含苯四甲酸二酐("PMDA")或其官能性衍生 物。 13.如申请专利范围第1项之基材,其中该芳族曲轴 二胺系包含3,4'-氧基二苯胺("3,4'-ODA)或其官能性衍 生物,该芳族曲轴二酐系包含3,3',4,4'-联苯四羧酸 二酐("BPDA")或其官能性衍生物。 14.如申请专利范围第13项之基材,其中该芳族共线 二胺系包含对-苯二胺("PPD")或其官能性衍生物。 15.如申请专利范围第13或14项之基材,其中该芳族 共线二酐系包含苯四甲酸二酐("PMDA")或其官能性 衍生物。 16.如申请专利范围第1项之基材,其另包含黏着膜, 该黏着膜系包含环氧基、氰酸根、胺基甲酸酯、 三聚氰胺、丙烯酸、酚、醯亚胺或其组合物。 17.如申请专利范围第1项之基材,其另包含金属层 。 18.如申请专利范围第17项之基材,其中该聚醯亚胺 层系于聚醯胺酸层形式下涂覆于该金属层上,随之 固化成为聚醯亚胺层。 19.如申请专利范围第17项之基材,其中该金属系气 相沉积或直接溅镀于该聚醯亚胺层上。 20.如申请专利范围第19项之基材,其中该金属亦于 溅镀或气相沉积之后电镀于该基材上。 21.如申请专利范围第17项之基材上,其中该聚醯亚 胺层系使用黏着剂连接于该金属层上。 22.如申请专利范围第21项之基材,其中该黏着剂系 包含一或多种下列官能基:丙烯酸、醯亚胺、三聚 氰胺、胺基甲酸酯、酚、氰酸根及环氧基。 23.如申请专利范围第1项之基材,其中该聚醯亚胺 部分系藉由下列化合物进行反应而衍生: i. 3,4'-氧基二苯胺("3,4'-ODA")或其官能性衍生物; ii. 对-苯二胺("PPD")或其官能性衍生物; iii. 3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐("BPDA")或其官能性衍 生物;及 iv. 苯四甲酸二酐("PMDA")或其官能性衍生物, 其中该聚醯亚胺聚合物至少90莫耳%系自单体i、ii 、iii及iv合成。 24.如申请专利范围第23项之基材,其中单体(i)对单 体(ii)之莫耳比系为C:D,其中C系由65至95,且D系由35 至5,且单体(iii)对单体(iv)之莫耳比系介于E:F范围 内,其中E系为5至20,且F系为80至95。 25.如申请专利范围第24项之基材,其另包含金属层 。 26.如申请专利范围第25项之基材,其中该聚醯亚胺 层系于聚醯胺酸层形式下涂覆于该金属层上,随之 固化成为聚醯亚胺层。 27.如申请专利范围第25项之基材,其中该金属系先 气相金属沉积或直接溅镀于该聚醯亚胺层上,随之 电镀于其上层。 28.如申请专利范围第25项之基材,其中该聚醯亚胺 层系使用黏着剂连接于该金属层上。 29.如申请专利范围第26项之基材,其中该黏着剂系 包含一或多种下列官能基:丙烯酸、醯亚胺、三聚 氰胺、胺基甲酸酯、酚、氰酸根及环氧基。 30.如申请专利范围第1项之基材,其中该聚醯亚胺 层之至少一面系进行至少一种包括下列方法之处 理:加热、使用交联添加剂进行交联、进行电晕放 电、接受电浆场、添加寡聚物或添加偶联剂。 |
