| 发明名称 |
FABRICATION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THROUGH REGIONAL OXIDATION OF SILICON AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09213692(A) |
申请公布日期 |
1997.08.15 |
| 申请号 |
JP19960043938 |
申请日期 |
1996.01.25 |
| 申请人 |
TAIWAN MOSHII DENSHI KOFUN YUUGENKOUSHI |
发明人 |
SO BUNTAKU |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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