一种改善存储器的存储元阵列和外围电路的高度差的方法

摘要

本发明公开了一种改善动态随机存取存储器的存储元阵列和外围电路的高度差的方法。利用在存储元阵列的外围电路区域形成总体平坦化氧化层,本发明公开的方法大幅降低存储元阵列和外围电路的地形地势的高度差,使得后继微影制程容易进行,提高产品的优良率。

主权项

1、一种制作动态随机存取存储器的方法，系包含下列步骤：(1)形成隔离电性活动区所需的场氧化层；(2)形成场效应晶体管与字线，所述场效应晶体管包含有闸介电层、栅极与源极/漏极；(3)形成存储器的位元线；(4)形成第一绝缘层，并利用微影及蚀刻技术形成源极接触窗；(5)沉积一层掺杂的第一复晶硅层，并利用微影及蚀刻技术制定所述掺杂的第一复晶硅层的图案，作为电容器的电荷储存电极；(6)形成电容器介电层与掺杂的第二复晶硅层；(7)利用微影及蚀刻技术制定所述电容器介电层与掺杂的第二复晶硅层的图案，作为电容器的板极；(8)形成第二绝缘层；(9)形成第三绝缘层；(10)利用微影技术以光阻材料将外围电路区域覆盖住，再利用蚀刻技术蚀去没有被光阻材料覆盖的区域的所述第三绝缘层；(11)形成第四绝缘层，并以热流整技术处理所述第四绝缘层，使之平坦；(12)利用微影及蚀刻技术蚀去所述第四绝缘层，以形成接触窗；(13)在所述接触窗内形成金属栓柱；(14)形成一层金属，并利用微影及蚀刻技术蚀去所述金属，以形成金属连线。