Verfahren zum Ausbilden einer dielektrischen Schicht

摘要

Verfahren, umfassend: Ausbilden (420) einer zweiten Schicht (301) über einer ersten Schicht (302); Ausbilden (424) einer Maske (304) über der zweiten Schicht (301); Entfernen (428) eines Abschnitts der Maske (304), um einen Abschnitt der zweiten Schicht (301) zu exponieren; Ausbilden (440) eines amorphen dielektrischen Materials auf der exponierten zweiten Schicht (301) und nicht über der verbliebenen Maske (304) unter Verwendung von Atomschichtabscheidung, wobei mindestens ein Abschnitt der zweiten Schicht (301) noch von der Maske (304) bedeckt ist, und Umwandeln (448) des amorphen dielektrischen Materials in ein kristallines dielektrisches Material (310).