Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit flachen Sperrschichten

摘要

Eine Halbleitervorrichtung mit flachen Sperrschichten wird erzeugt, indem auf einem Halbleitersubstrat mit Source- und Drain-Bereichen und Gate-Bereichen aus Polysilizium selektives Silizium auf den Source- und Drain-Bereichen abgeschieden wird; ein Dotierungsmittel in die Source- und Drain-Bereiche gebracht wird, so daß flache Sperrschichten entstehen; erste isolierende Seitenflächen-Trennschichten auf Seitenflächen der Gate-Bereiche erzeugt werden; zweite isolierende Seitenflächen-Trennschichten auf den ersten isolierenden Trennschichten erzeugt werden; und die Oberseiten der Source- und Drain-Bereiche silicidiert werden.