| 主权项 |
1.一种双导线结构薄膜电晶体阵列之制造方法,包括以下步骤:(A)提供一基板;(B)于该基板上形成一具有一第一图样(pattern)之第一金属层;(C)于该基板上依序沈积一绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层、及一第二金属层;(D)于该半导体层、该欧姆接触层及该第二金属层形成一第二图样,以形成一源极、一汲极、及一资料线,其中该源极与该汲极间之欧姆接触层与第二金属层被移除;(E)于该第二金属层上形成一具有一第三图样之第一保护层,同时移除部分该第一金属层上之该绝缘层,以形成复数个第一接触窗;以及(F)于该第一接触窗形成一具有第四图样且连接该第一金属层与该第二金属层之导电层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层为透明导电层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中于形成该透明导电层之同时亦于基板上形成一画素电极,且该画素电极与该透明导电层之材料相同。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其于步骤(F)之后更包含一步骤(G')于该基板上形成一第二保护层。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该第二保护层位于该第一接触窗上。6.如申请专利范围第2项所述之方法,其于步骤(F)之后更包含一步骤(G'')以半色调(half-tone)光罩制程形成一具有复数个感光型间隙物(Photo spacer)之第三保护层。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第三保护层位于该第一接触窗上。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层为一第三金属层。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其于步骤(F)之后更包含一步骤(I)于该基板上形成一第二保护层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第二保护层位于该第一接触窗上。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其于步骤(I)之后更包含一步骤(I')于该基板上形成一画素电极,其系由一透明导电层制成。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其于步骤(F)之后更包含一步骤(H)形成一透明导电层于该第三金属层上,以保护该第三金属层。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中于形成该透明导电层之同时亦于基板上形成一画素电极,且该画素电极与该透明导电层之材料相同。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其于步骤(H)之后更包含一步骤(H')于该基板上形成一第二保护层。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第二保护层位于该第一接触窗上。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其于步骤(H)之后更包含一步骤(H'')以半色调(half-tone)光罩制程形成一具有复数个感光型间隙物(Photo spacer)之第三保护层。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第三保护层位于该第一接触窗上。18.如申请专利范围第8项所述之方法,其于步骤(F)之后更包含一步骤(J)以半色调(half-tone)光罩制程形成一具有复数个感光型间隙物(Photo spacer)之第三保护层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该第三保护层位于该第一接触窗上。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其于步骤(J)之后更包含一步骤(J')于该基板上形成一画素电极,其系由一透明导电层制成。21.如申请专利范围第18项所述之方法,其于步骤(J)之前更包含一步骤(J'')于该基板上形成一画素电极,其系由一透明导电层制成。22.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(D)系使用一具有一第一厚度、一第二厚度、及一第三厚度之光阻图样,以形成该第二图样,其中,该第二厚度较该第一厚度厚,该第三厚度较该第一厚度薄,且该第一厚度位于该源极与该汲极之间。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该光阻图样系使用一具有一第一部分、一第二部分、及一第三部分之光罩曝光所形成,其中该第一部分之光穿透率介于该第二部分与该第三部分之间。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该光阻图样之材质为正光阻,且该光罩之该第一部分为半透光材质、该第二部分为不透光材质、该第三部分为透光材质所构成。25.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三图样更包含复数个第二接触窗,以供该导电层与该第二金属层形成连接。26.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一金属层为一扫瞄线。27.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二金属层为一资料线。28.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板为玻璃基板。图式简单说明:图1a~1f系习知双导线结构薄膜电晶体阵列之制造方法之流程图。图2a~2d系本发明一较佳实施例之双导线结构薄膜电晶体阵列之制造方法之流程图。图3a~3c系本发明一较佳实施例之薄膜电晶体剖视流程图。图4系图2d之薄膜电晶体阵列之俯视图。图5系本发明另一较佳实施例之双导线结构薄膜电晶体之剖视图。图6系本发明另一较佳实施例之双导线结构薄膜电晶体之剖视图。图7系本发明另一较佳实施例之双导线结构薄膜电晶体之剖视图。图8系本发明另一较佳实施例之双导线结构薄膜电晶体之剖视图。图9系本发明另一较佳实施例之双导线结构薄膜电晶体之剖视图。 |
